離子佈植矽、補償效應之研究
碩士 === 國立清華大學 === 材料科學工程研究所 === 78 === (001) 及(111) 矽晶片, 均植入二種離子: (1)BF (110KeV)(2)P (65KeV)or As (1 50KeV)。BF 之劑量固定在 5×10 /cm ,P 或As 則為1×10 /cm ,5×10 /cm , 1×10 /cm ,5×10 /cm 。我們知道BF 為P type, 而P 和As 則為n type, 隨著...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1990
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/04700976539025882723 |