LDDnMOSFET之熱電子捕獲和元件壽命的研究
碩士 === 國立清華大學 === 電機工程研究所 === 78 === LDDnMOSFET已經被廣泛的應用在超大型積體電路之中, 但是因為元件的小型化所引起 的元件壽命衰退的問題, 嚴重的影響超大型積體電路的穩定性。本論文使用幸運電子 的理論, 以與時間相關的動態模擬方式來研究LDDnMOSFET因熱電子射入而產生的元件 特性衰退的問題。熱電子入射進氧化層而被捕獲中心捕獲的分子模型也被描述, 以便 推導出一個熱電...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1990
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/59391218908172511417 |