Study of the irradiated N+ poly-gate MDS capacitors
碩士 === 國立交通大學 === 電子研究所 === 80 === MOS 電容經輻射後，它的C-V 曲線有很明顯的變化，包括平帶電壓位移，遲滯曲線 的產生並且介面陷阱增加。對磷離子高溫擴散Ｎ﹢複晶矽閘極MOS 電容，擴散高溫 對氧化層的影響是因著溫度的增加，電洞缺陷就越多。因此溫度1000℃CMOS電容經 輻射後，有較多的電洞陷阱。另一方面，對磷離子佈植複晶矽閘極MOS 電容，退火 溫度對氧化層的影響類似磷離子高...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1992
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/86865136952241495103 |