Research of High Efficient Model and Scale Down Theory of SOI MOSFETs
碩士 === 國立中山大學 === 電機工程研究所 === 83 === SOI金氧半有很多優點, 如低次臨閥斜率,所以近年來受大家注意。它之所 以有很多比傳統金氧半的優點是在於多一個絕緣體。但此會使SOI 金氧半 的模型比較複雜, 因為有耦合和遮敝效應。所以當必需模擬大電路時高效 率是很重要的。故本論文提供一高效率的SOI 金氧半模型。縮小元件尺寸 可降低成本, 因此縮小化理論也被研究。為了得到高效率的模型, 我們用 固定表面電位模形, 然而在...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
1995
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/87554624099641901601 |