High Performance Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Devices Fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Method
博士 === 國立交通大學 === 電子工程學系 === 85 === aaaaa本論文中, 我們利用自行設計組裝之電漿輔助化學氣相沉積系統( PECVD)成長不同組成特性的氮化矽膜應用於非晶矽電晶體製作來比較其電 氣特性的差異.當氨氣/矽甲烷流量比提高其所得之氮化矽膜傾向"多氮性" 氮化矽膜(nitrogen-rich silicon nitride film), 此種薄膜具有較輕微 的載子補捉現象. 然而相對地, 與後續成長的非晶矽薄膜形成較差的界面...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1997
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/14675563129810011709 |