Analysis of IGBT''s Dynamic Characteristics
碩士 === 國立清華大學 === 電機工程學系 === 85 === IGBT是目前常用的高功率半導體元件,具有高導通電流密度及高輸入阻抗 之優點. 本篇論文的重點在於研究IGBT的動態特性,並以之 建立一個符合靜態及動態的模型. 我們設計一些靜態及動態的 量測實驗,從中萃取出我們所需要的元件內部參數.從靜態 中取 得Gm,Vt,Gd,K,Alpha(pnp)等參數.由動態取得高注入載子生命週期,...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1997
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/41959705792555340075 |