磷化銦鎵/砷化鎵平面摻雜異質接面雙極性電晶體之研製
碩士 === 國立中央大學 === 光電科學研究所 === 90 === 摘要 本論文利用分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy, MBE)成長磷化銦鎵/砷化鎵平面摻雜異質接面雙極性電晶體(InGaP/GaAs δ doped HBT)，利用平面摻雜(δ doped)技術提昇基極的金屬-半導體之歐姆接觸特性，降低基極之串聯阻抗，進而提高功率增益截止頻率或最大振盪頻率(fmax)，並利用平面摻雜技術對基極區域電位的調變(potential modulation)，內建基極區域之加速電場，降低載子穿越基極之傳輸時間，進而提高截止頻率(cut-off frequency, ft)。...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
2002
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/92978963863174001558 |