Reliability and Processing Effects of Bandgap Engineered SONOS (BE-SONOS) Flash Memory Devices
博士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 96 === 電荷捕捉記憶體元件預期將成為快閃記憶體於40奈米以下世代產品的解決方案。於1960年代末期發明之矽-氧-氮-氧-矽（SONOS）元件就是其中一種型態的電荷捕捉記憶體元件。該種元件是將電荷儲存在氮化矽材料當中。然而，傳統的SONOS記憶體元件存在著一種應用上的限制，就是我們無法找到一個合適的穿隧氧化層厚度來同時達到優良的抹除速度以及資料保存能力。 最近這幾年一種新的電荷捕捉快閃記憶體元件被提出具有克服傳統SONOS元件應用上限制的能力。該種記憶體元件稱作能帶隙工程矽-氧-氮-氧-矽（BE-SONOS）元件。在採用非常薄的氧...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2008
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/40805732839760983092 |