The design and fabrication of lateral high voltage 4H-SiC two-zone resurf MOSFETs
碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 97 === 碳化矽是一種寬能帶半導體，因為其高臨界電壓、良好熱導率及高飽和電子速度的特性使得碳化矽在功率元件領域應用日與俱增。而在所有寬能帶半導體中，碳化矽能以熱氧化法成長二氧化矽氧化層，提供了碳化矽金氧半場效電晶的化學穩定且緻密的介電層。然而，碳化矽電晶體卻由於基板本身的高臨界電壓及其與介電層的介電常數比值，使得元件易崩潰於介電層而非塊材，因此如何改善峰值電場是相當重要的課題。 在此篇論文中，我們在半絕緣基板上製作了橫向4H-SiC雙漂移區金氧半場效電晶體。藉由雙漂移區的設計，在汲極或閘極端峰值電場造成崩潰之前，發生在第...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
2009
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/00321796470684733067 |