以化學氣相沉積系統製備非晶矽以及異質接面矽薄膜式太陽能電池之特性
碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 98 === 全篇主要分為兩部分做探討，第一部分為使用 HDPCVD 製作非晶矽 p-i-n 結構和 p-n-n 結構太陽電池，第二部分則是使用 HDPCVD 和 ECRCVD 製作類-SPA 結構矽太陽電池。 首先，我們在晶圓上沉積氧化層及鋁金屬，接著製作非晶矽 p-i-n 薄膜和 p-n-n 薄膜，並且量測其相關特性，我們可以發現兩種結構幾乎呈現相同的效率，但是 p-n-n 結構有著較高的短路電流以及較低的開路電壓。其中 p 層載子濃度不夠高導致無法形成較理想的歐姆接觸，並且造成空閥區電場無法落在吸收層上。另一方面，吸收層 n 層...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2010
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/98616966807401531489 |