結合奈米孔洞結構的單一奈米顆粒元件之電子傳輸與光電特性研究
博士 === 國立清華大學 === 工程與系統科學系 === 102 === 多晶或非晶結構的半導體元件其載子遷移率大多數都非常低，這是由於結構上的缺陷或晶界造成載流子的散射，而這個致命缺點讓他們無法被實際應用。由單一顆單晶半導體所構成的元件，將可以完全避免由晶界造成載子散射問題，所以非常適合用來研究半導體材料的最本質載子遷移率特性。另外，與一般一維或二維結構的元件比較起來，由於這種結構的表面積與體積比值很大，這將大大延長載子的壽命，另外由於載子在半導體單晶內移動距離非常短，則使載子的傳輸時間非常短暫。因此，我們預期單一顆奈米單晶元件，將具有快速的載子遷移率，而這將使其在電子或光電應用上有所發...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2013
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/65846427206380166883 |