Growth mechanism and interfacial electronic properties of graphene and silicene two dimensional semiconductor materials.
自從2004年人們在實驗室上發現石墨烯以來，IV族二維半導體材料，例如石墨烯、硅烯等，由於其優異的電學、力學、光學、以及熱力學性質，受到學術界的廣泛關注。為了使IV族二維半導體材料得到廣泛引用，穩定地生長高質量的石墨烯、硅烯二維半導體材料以及透徹的理解石墨烯、硅烯二維半導體材料和襯底之間的界面特性成為至關重要的研究方向。本文對在銅表面用多環芳香烴形成石墨烯的生長機理以及石墨烯、硅烯和襯底之間的界面電子學特性進行了詳細的分析和研究。希望以此能對IV族二維半導體材料的廣泛應用具有促進作用，並且對合理的設計電子器件結構具有新的啟示。 === 首先，我們用密度泛函理論對在銅表面用多環芳香烴形成石墨烯的...
| Other Authors: | |
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| Format: | Others |
| Language: | English Chinese |
| Published: |
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://library.cuhk.edu.hk/record=b5549746 http://repository.lib.cuhk.edu.hk/en/item/cuhk-328443 |