Epitaxial growth of 4H-SiC and characterization of deep levels for bipolar power devices
Kyoto University (京都大学) === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第13015号 === 工博第2757号 === 新制||工||1401(附属図書館) === UT51-2007-H288 === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 木本 恒暢, 教授 野田 進, 教授 藤田 静雄 === 学位規則第4条第1項該当...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | English |
| Published: |
京都大学 (Kyoto University)
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/2433/136192 |