Contribution à l’étude de techniques de siliciuration avancées pour les technologies CMOS décananométriques
Dans le cadre de la réduction des dimensions des technologies CMOS, le module de jonction apparaît comme un point bloquant pour l’amélioration des performances. En particulier, la hauteur de barrière entre le siliciure et le silicium limite le courant passant du transistor. Cette thèse adresse spéci...
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| Language: | fr |
| Published: |
2009
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2009LIL10188/document |