Synthèse et caractérisation de silicium cristallin par croissance VLS pour l’intégration 3D séquentielle de transistors MOS
L’intégration en trois dimensions se présente comme une alternative à la réduction des dimensions pour poursuivre l’augmentation continuelle de la densité des composants. Elle permet également de réduire le délai dans les interconnexions. Un autre avantage, non négligeable, est la possibilité d’ajou...
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| Language: | fr |
| Published: |
2010
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2010LIL10077/document |