Etude de l'oxyde de silicium implanté krypton ou xénon : évolution de la constante diélectrique.
Ce travail de thèse consiste en une étude approfondie du comportement de l'oxyde de silicium implanté Kr ou Xe pour son application comme matériau à faible constante diélectrique. Deux volets sont examinés: une étude structurale par l'utilisation de plusieurs techniques (RBS, PL, MET et PA...
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| Language: | fr |
| Published: |
2010
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2010ORLE2059/document |