Caractérisation d’une mémoire à changement de phase : mesure de propriétés thermiques de couches minces à haute température
Les mémoires à changement de phase (PRAM) développées par l’industrie de la microélectronique utilisent la capacité d’un materiau chalcogénure à passer rapidement et de façon réversible d’une phase amorphe à une phase cristalline. Le passage de la phase amorphe à la phase cristalline s’accompagne d’...
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| Language: | fr |
| Published: |
2011
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2011BOR14280/document |