Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors MOS en Radio Fréquence
Les produits issus des technologies Silicium tendent à exploiter au maximum les performancesdes transistors MOS tout en les soumettant à des profils de mission très agressifs du point de vuede la fiabilité. Les concepteurs sont ainsi à la recherche du meilleur compromis entre performanceet fiabilité...
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| Language: | fr |
| Published: |
2011
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2011GRENT126/document |