Analysis of ultrathin gate-oxide breakdown mechanisms and applications to antifuse memories fabricated in advanced CMOS processes

Analysis of ultrathin gate-oxide breakdown mechanisms and applications to antifuse memories fabricated in advanced CMOS processes

Les mémoires non-volatiles programmables une fois sont en plein essor dans le monde de l’électronique embarquée. La traçabilité, la configuration ou encore la réparation de systèmes sur puce avancés font partis des applications adressées par ce type de mémoire. Plus particulièrement, la technologie...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Deloge, Matthieu
Other Authors: Lyon, INSA
Language:en
Published: 2011
Subjects:
Microélectronique
Génie électronique
Mémoire non volatile - MNV
Mémoire non volatile programmable une fois
Electronique embarquée
Technologie antifusible
Stockage information sensible
Claquage oxyde mince
Claquage de diélectrique SiO2
Cellule antifusible
Si02 à haute permittivité
Caractérisation électrique
Courant de programmation
Micro Electronics
Electronic Engineering
Non Volatile Memory
Embeded electronics
Antifuse
621.381 044 072
Online Access:http://www.theses.fr/2011ISAL0097/document

Internet

http://www.theses.fr/2011ISAL0097/document

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