Résolution de l'equation de transport de boltzmann par une approche Monte Carlo (full-band), application aux cellules solaires à porteurs chauds et aux composants ultra-rapides

Résolution de l'equation de transport de boltzmann par une approche Monte Carlo (full-band), application aux cellules solaires à porteurs chauds et aux composants ultra-rapides

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Cette thèse est consacrée à l’étude de la dynamique des porteurs de charges sous forte concentration. La méthode Monte Carlo « Full-Band » a été utilisée pour la modélisation du transport et la relaxtion des porteurs de charge dans les semi-conducteurs III-V (GaAs, InAs, GaSb, In0.53Ga0.47As et GaAs...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Tea, Eric
Other Authors: Paris 11
Language:fr
Published: 2011
Subjects:
Semiconducteur
III-V
Monte Carlo (MC)
Méthode des Pseudo-potentiels Empiriques (EPM)
Électrons minoritaires
Ionisation par choc
Effet Auger
Phonons chauds
Semiconductor
Empirical Pseudopotential Method (EPM)
Minority electrons
Impact ionization
Auger effect
Hot phonons
Online Access:http://www.theses.fr/2011PA112356/document

Internet

http://www.theses.fr/2011PA112356/document

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