Simulation, réalisation et caractérisation de jonction p+n en SiC-4H, pour la photodétection de rayonnement UV
Le SiC est un matériau semi-conducteur à large bande d'énergie interdite dont les très bonnes caractéristiques électriques et thermiques en font un candidat idéal pour la fabrication de composants dans le domaine de la puissance et des détecteurs de rayonnement. En particulier, la réalisation d...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012AIXM4340 |