Caractérisation électrique et fiabilité des transistors intégrant des dielectriques High-k et des grilles métalliques pour les technologies FDSOI sub-32nm
L'intégration de diélectriques High-k dans les empilements de grille des transistors a fait naître des problèmes de fiabilité complexes. A cela vient s'ajouter, en vue des technologies sub-32nm planaires, de nouvelles problématiques liées à l'utilisation de substrats silicium sur isol...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012AIXM4728/document |