Systèmes épitaxiés faiblement liés : le cas Ge/SrTiO3
Dans un contexte où les limites intrinsèques des matériaux classiques de l’industrie CMOS sont en passe d’être atteintes du fait de la forte miniaturisation des composants, le développement de la microélectronique requiert la définition de nouvelles solutions pour combiner sur un même substrat (le s...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2012ECDL0058/document |