Optimisation du procédé de réalisation pour l'intégration séquentielle 3D des transistors CMOS FDSOI

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L’activation à basse température est prometteuse pour l’intégration 3D séquentielle où lebudget thermique du transistor supérieur est limité (<650 ºC) pour ne pas dégrader letransistor inférieur, mais aussi dans le cas d’une intégration planaire afin d’atteindre des EOTultra fines et de contrôler...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Xu, Cuiqin
Other Authors: Grenoble
Language:fr
Published: 2012
Subjects:
Intégration 3D séquentielle
Recroissance en phase solide
Procédés à faible budget thermique,
Désactivation
Transistors totalement déplétés
3D sequential integration
Solid Phase Epitaxial Regrowth
Low temperature process,
Desactivation
Fully depleted devices
Online Access:http://www.theses.fr/2012GRENT024/document

Internet

http://www.theses.fr/2012GRENT024/document

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