Dispositifs innovants à pente sous le seuil abrupte : du TEFT au Z²-FET
Tunnel à effet de champ (TFET) et un nouveau composant MOS à rétroaction que nous avons nommé le Z2-FET.Le Z2-FET est envisagé pour la logique faible consommation et pour les applications mémoire compatibles avecles technologies CMOS avancées. Nous avons étudié de manière systématique des TFETs avec...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENT052/document |