Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil
Le but de cette thèse est de réaliser et d’étudier les propriétés électroniques d’un transistor à canal nanofil monocristallin à base de Si/SiGe (voir figure), élaboré par croissance CVD-VLS, à grille enrobante ou semi-enrobante en exploitant une filière technologique compatible CMOS. Ces transistor...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENT108/document |