Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil
Le but de cette thèse est de réaliser et d’étudier les propriétés électroniques d’un transistor à canal nanofil monocristallin à base de Si/SiGe (voir figure), élaboré par croissance CVD-VLS, à grille enrobante ou semi-enrobante en exploitant une filière technologique compatible CMOS. Ces transistor...
Main Author: | Rosaz, Guillaume |
---|---|
Other Authors: | Grenoble |
Language: | fr |
Published: |
2012
|
Subjects: | |
Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENT108/document |
Similar Items
-
Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil
by: Rosaz, Guillaume
Published: (2012) -
Etude in situ par RX synchrotron de nanofils SiGe : croissance, contrainte et courbure
by: Zhou, Tao
Published: (2015) -
One-Transistor Dynamic Random-Access Memory Based on Gate-All-Around Junction-Less Field-Effect Transistor with a Si/SiGe Heterostructure
by: Young Jun Yoon, et al.
Published: (2020-12-01) -
SIMULATION STUDY OF PARASITIC BARRIER FORMATION IN Si/SiGe HETEROSTRUCTURES
by: BREED, ANIKET AJITKUMAR
Published: (2002) -
Capas de SiGe policristalino hidrogenado y su aplicación en transistores de película delgada
by: Rodríguez, A., et al.
Published: (2004-04-01)