Elaboration et caractérisation des grilles métalliques pour les technologiesCMOS 32 / 28 nm à base de diélectrique haute permittivité
Cette thèse porte sur l'élaboration et la caractérisation des grilles métalliques en TiN, aluminium et lanthane pour les technologies CMOS gate-first à base d'oxyde high-k HfSiON. L'effet de l'épaisseur et de la composition des dépôts métalliques a été caractérisé sur les paramèt...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENT122/document |