Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

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Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d’économies d’énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans les circuits élec...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Jouvet, Nicolas
Other Authors: Lyon, INSA
Language:fr
Published: 2012
Subjects:
Electronique
Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS
Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée
Composant à un électron
Transistor à un électron - SET
Nanotechnologie
Nanodamascène
Caractérisation électrique
Electronics
MOSFET - Metal Oxide SemiConductor Field Effect - Transistor
Single Electron Device
Single-electron Transistor - SET
Nanotechnology
Nanodamascene
Electrical characterisation
621.381 520 72
Online Access:http://www.theses.fr/2012ISAL0114/document

Internet

http://www.theses.fr/2012ISAL0114/document

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