Growth and characterization of nitride-based semiconductor materials : application to high-speed photodiodes
L’alliage ternaire InGaN reçoit beaucoup d’attention grâce à son énergie de bande interdite ajustable qui varie entre l’infrarouge et l’ultraviolet. Les matériaux GaN et InGaN sont largement utilisés dans de nombreuses applications telles que des cellules photovoltaïques à haute efficacité, des diod...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2012LIL10015/document |