Résonateurs MEMS à base d’hétérostructures AlGaN/GaN
En raison de leurs propriétés physiques et leur stabilité chimique, les semi-conducteurs à large bande interdite comme les nitrures d’éléments III doivent permettre de réaliser des dispositifs ayant une meilleure performance dans des environnements sévères. De plus, leur piézoélectricité et la possi...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2012LIL10073/document |