Croissance d'hétérostructures III-V sur des couches tampons de SrTiO3/Silicium
Les semiconducteurs III-V ayant des propriétés électroniques et optiques très intéressantes, leur intégration sur Si permettrait la combinaison de fonctionnalités variées sur la même puce, une solution potentielle aux obstacles affrontés par les composants CMOS. Les travaux pionniers de McKee et al...
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| Language: | fr |
| Published: |
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2013ECDL0005/document |