Caractérisation et analyse du couplage substrat entre le TSV et les transistors MOS dans les circuits intégrés 3D.

Caractérisation et analyse du couplage substrat entre le TSV et les transistors MOS dans les circuits intégrés 3D.

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Ces dernières années ont vu l'émergence d'un nouveaux concept dans le domaine de la microélectronique pour répondre aux besoins grandissant en termes de performances et taille des puces et trouver une alternative au loi de Moore et de More than Moore qui atteignent leur limites. Il s'...

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Bibliographic Details
Main Author: Brocard, Mélanie
Other Authors: Grenoble
Language:fr
Published: 2013
Subjects:
Vias traversant le silicium (TSV)
Circuit intégrés 3D
Couplage substrat
Modélisation électrique
Simulation électriques
Transistors MOS
Through silicon via (TSV)
3D integrated circuits
Substrate coupling
Modeling
Electrical simulation
MOS transistors
Online Access:http://www.theses.fr/2013GRENT049/document

Internet

http://www.theses.fr/2013GRENT049/document

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