Caractérisation électrique des transistors d’architecture innovante pour les longueurs de grilles décananométriques
La taille du transistor MOS ne cesse de diminuer pour des questions de performance et de rentabilité de fabrication. Les procédés de fabrication évoluent, l'architecture se complexifie et les méthodologies d'extraction de paramètres électriques doivent être adaptées. C'est ainsi que d...
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| Language: | fr |
| Published: |
2013
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2013GRENT082/document |