Etude fondamentale des mécanismes physico-chimiques de gravure plasma basés sur les effets stériques et de diffusion. Comportements prévisionnels de la gravure des éléments de la colonne IV et des composés III-V par les halogènes : loi de similitude

Etude fondamentale des mécanismes physico-chimiques de gravure plasma basés sur les effets stériques et de diffusion. Comportements prévisionnels de la gravure des éléments de la colonne IV et des composés III-V par les halogènes : loi de similitude

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L'objectif de ce travail porte sur la généralisation de la modélisation de la gravure du silicium dans les plasmas de fluor ou de chlore à celle de la gravure des éléments de la colonne IV et des composés III-V de structure cristalline de type diamant ou zinc-blende dans les plasmas d'halo...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Phan, Thanh Long
Other Authors: Grenoble
Language:fr
Published: 2013
Subjects:
Gravure plasma
Plasma micro onde
Effets stériques
Plasma d'halogènes
Semiconducteurs IV et III-V
Modèle de diffusion
Plasma etching
Microwave plasma
Sterical effects
Halogen-based plasma
IV and III-V semiconductors
Diffusion model
530
Online Access:http://www.theses.fr/2013GRENY021/document

Internet

http://www.theses.fr/2013GRENY021/document

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