Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs GaN pour des applications dans le domaine millimétrique
Les transistors à haute mobilité électronique à base de GaN (HEMTs) constituent une filière prometteuse pour l’amplification de puissance dans la gamme des fréquences micro-ondes et des applications dans le domaine millimétrique. Les propriétés physiques exceptionnelles du GaN, sont à l’origine de p...
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| Language: | fr |
| Published: |
2013
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2013LIL10166/document |