Hétérostructures polaires et non polaires à base de nitrure de gallium épitaxiées sur ZnO pour applications optoélectroniques
Ce travail concerne l'intégration, par épitaxie sous jets moléculaires (EJM), de matériaux nitrures d’éléments III (en particulier GaN) sur des substrats et couches tremplins à base d’oxyde de zinc (ZnO). L’objectif était la réalisation et l’étude d’hétérostructures nitrures de type puits quant...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2013NICE4067/document |