Numerical study of electro-thermal effects in silicon devices
Le développement de la technologie des composants CMOS ultimes à grille ultra-courte (L < 20 nm) se heurte à de nombreuses difficultés technologiques, mais également à des limites thermiques qui perturbent notablement les règles de mise à l'échelle communément employées jusqu'à présent....
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| Language: | en |
| Published: |
2013
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2013PA112010/document |