Propriétés Structurales et Électroniques du Graphène Épitaxié sur Carbure de Silicium
La synthèse du graphène par traitement thermique d’un substrat de carbure de silicium (SiC) est une technique prometteuse pour l’intégration de ce nouveau matériau dans l’industrie, notamment dans les dispositifs électroniques. L’avantage de cette méthode réside dans la croissance de films minces de...
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| Language: | fr |
| Published: |
2013
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2013PA112232 |