Investigation and development of advanced Si/SiGe and Si/SiGeC Heterojunction Bipolar Transistors by means of Technology Modeling
Le travail porte sur le développement et l’optimisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) SiGe et SiGeC par conception technologique assistée par ordinateur (TCAD). L'objectif est d'aboutir à un dispositif performant réalisable technologiquement, en tenant compte de tous les...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2013PA112273/document |