Réalisation et caractérisation de HEMTs AlGaN/GaN sur silicium pour applications à haute tension

Réalisation et caractérisation de HEMTs AlGaN/GaN sur silicium pour applications à haute tension

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Cette thèse est une contribution aux développements de HEMTS AlGaN/GaN sur substrat de silicium pour des applications basses fréquences sous fortes tensions (typiquement 600V) comme les commutateurs pour la domotique ou les circuits de puissance des véhicules électriques. Elle a été menée en collabo...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Nguyen, Thi Dak Ha
Other Authors: Paris 11
Language:fr
Published: 2013
Subjects:
GaN
HEMT
Transistor
Silicium
Contact ohmique
Tension de claquage
Dislocations
Passivation
Hydrogénation
Mode d'enrichissement
Le fluorure
Silicon
Ohmic contact
Breakdown voltage
Dislocation
Hydrogenation
Enhancement mode
Fluoride
Online Access:http://www.theses.fr/2013PA112344/document

Internet

http://www.theses.fr/2013PA112344/document

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