Croissance épitaxiale du germanium contraint en tension et fortement dopé de type n pour des applications en optoélectronique intégrée sur silicium
Le silicium (Si) et le germanium (Ge) sont les matériaux de base utilisés dans les circuits intégrés. Cependant, à cause de leur gap indirect, ces matériaux ne sont pas adaptés à la fabrication de dispositifs d'émission de lumière, comme les lasers ou diodes électroluminescentes. Comparé au Si,...
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| Language: | en |
| Published: |
2014
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2014AIXM4002 |