Croissance épitaxiale du germanium contraint en tension et fortement dopé de type n pour des applications en optoélectronique intégrée sur silicium

Le silicium (Si) et le germanium (Ge) sont les matériaux de base utilisés dans les circuits intégrés. Cependant, à cause de leur gap indirect, ces matériaux ne sont pas adaptés à la fabrication de dispositifs d'émission de lumière, comme les lasers ou diodes électroluminescentes. Comparé au Si,...

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Bibliographic Details
Main Author: Luong, Thi kim phuong
Other Authors: Aix-Marseille
Language:en
Published: 2014
Subjects:
530
Online Access:http://www.theses.fr/2014AIXM4002

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