Fiabilité et variabilité temporelle des technologies CMOS FDSOI 28-20nm, du transistor au circuit intégré
La course à la miniaturisation requiert l'introduction d'architectures de transistors innovantes enremplacement des technologies conventionnelles sur substrat de silicium. Ainsi la technologie UTBB-FDSOI permet d'améliorer notablement l'intégrité électrostatique et assure une tra...
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| Language: | fr |
| Published: |
2014
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2014AIXM4753 |