Développement et caractérisation de procédés de gravure des espaceurs Si3N4 pour les technologies FDSOI
Dans les technologies CMOS sur substrat FDSOI, la consommation de silicium dans les zones sources/drains des transistors par les étapes successives de gravure est un paramètre critique. La gravure plasma des espaceurs de Si3N4, qui a lieu après la gravure de la grille, doit permettre la fabrication...
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| Language: | fr |
| Published: |
2014
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2014GRENT036/document |