Statistical methodologies for modelling the impact of process variability in ultra-deep-submicron SRAMs
La miniaturisation des transistors vers ses ultimes limites physiques a exacerbé les effets négatifs qui sont liées à la granularité de la matière. Plusieurs nouvelles sources de variabilités affectent les transistors qui, bien qu'identiquement dessinés, montrent des caractéristiques électrique...
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| Language: | en |
| Published: |
2014
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2014GRENT080/document |