Transport électronique dans les jonctions tunnel magnétiques à double barrière

Afin de concurrencer les mémoires à accès aléatoire de type DRAM actuellement sur le marché, les mémoires magnétiques ont depuis quelques années fait l'objet de nombreuses études afin de les rendre aussi performantes que possible. Dans ce contexte, les jonctions tunnel magnétiques à double barr...

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Bibliographic Details
Main Author: Clément, Pierre-Yves
Other Authors: Grenoble
Language:fr
Published: 2014
Subjects:
530
Online Access:http://www.theses.fr/2014GRENY040/document