Conception d’un onduleur triphasé à base de composants SiC en technologie JFET à haute fréquence de commutation

Conception d’un onduleur triphasé à base de composants SiC en technologie JFET à haute fréquence de commutation

Depuis le début des années 2000, les composants en carbure de silicium (SiC) sont présents sur le marché principalement sous la forme de diodes Schottky et de transistors FET. Ces nouveaux semi-conducteurs offrent des performances en commutation bien supérieures à celles des composants en silicium (...

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Bibliographic Details
Main Author: Fonteneau, Xavier
Other Authors: Lyon, INSA
Language:fr
Published: 2014
Subjects:
Electrotechnique
Electronique de puissance
Composants SiC
Onduleur triphasé
Transistor de puissance à jonction à effet de champ en SiC - JFET-SiC de puissance
JFET Normally-Off
Condiction inverse
Electrotechnics
Power Electronics
SiC components
Three Phase Inverter
Reverse conduction
621.317 072
Online Access:http://www.theses.fr/2014ISAL0059/document

Internet

http://www.theses.fr/2014ISAL0059/document

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