Détermination de la résistance thermique d'une interface cristal/amorphe à l'aide de la dynamique moléculaire classique
L'histoire du silicium cristallin cSi et de sa forme oxydée (silice aSiO2) est intimement liée au développement des transistors depuis les années 1960. La miniaturisation de ces composants au fil du temps, permettant d'améliorer la puissance des ordinateurs avec une régularité proche de ce...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2014LIL10210/document |