Ingénierie de contrainte dans des cavités germanium : vers une application de laser intégré sur silicium
Le germanium dopé n et contraint en tension est un candidat potentiel pour démontrer un laser sur silicium compatible avec un environnement CMOS. Dans ce travail de thèse, j’ai d’abord développé un formalisme qui permet de calculer le gain optique en fonction de la déformation en tension, du dopage...
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| Language: | fr |
| Published: |
2014
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2014PA112357/document |